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《音特電子TVS選型指南》手冊旨在介紹上海音特電子有限公司的 TVS瞬態(tài)抑制二極管產(chǎn)品，及TVS瞬態(tài)抑制二極管產(chǎn)品的技術(shù)數(shù)據(jù)與相應(yīng)的應(yīng)用方案，提升電路設(shè)計工程師使用 TVS瞬態(tài)抑制二極管保護器件的效率。
出于產(chǎn)品應(yīng)用及電路設(shè)計過程的相關(guān)度考慮，電路設(shè)計工程師應(yīng)當獨立地評估器件型號是否適合電路的需要 ，并獨立地進行測試 。
歡迎各位電路設(shè)計工程師與YINT技術(shù)工程師進行技術(shù)交流與探討，共同促進，一起進步，提供更好的產(chǎn)品，造福人類。
音特電子TVS二極管產(chǎn)品系列有：
貼片類：SMF 200W/SMAJ 400W/SMBJ 600W/P6SMB 600W/P8SMB 800W/1.0SMB 1000W/SMCJ 1500W/SMDJ 3000W/5.0SMDJ-H Series 5000W/SM8 6600W
插件類：SA 500W/P6KE 600W/1.5KE 1500W/3KP 3000W/5KP 5000W/15KP 15000W
抗浪涌功率10/1000us功率從200W到15000W；
反向工作電壓從3.3V到400V；
單向或雙向TVS。
關(guān)注公眾號:yint音特電子了解更多電路解決方案
更多解決方案：ddqczx.cn/solution/index.html
附件：音特電子TVS選型指南.PDF
PPTC自恢復保險絲（Polymeric Positive Temperature Coefficient ）
正溫度系數(shù)器件，也就是自恢復保險絲，功能為電子電路或者電子設(shè)備提供過流保護。
PTCs 的電阻隨著溫度的升高而升高，利用這個特性，當安全電流通過時，阻值變化很小，當有異常的電流時， 阻值劇烈變化，達到限制異常電流的目的。 當異常排除，溫度回到安全水平時， 阻值自動“重置“。
音特電子提供的正溫度系數(shù)聚合物（PPTC）作為一種過流保護器件，可以減少保修，維護和維修成本。 是異常過電流頻繁區(qū)域設(shè)備或者高可靠性設(shè)備的理想選擇。 常被應(yīng)用在消費電子，電源線，電信， I/O 口，過程控制和醫(yī)療設(shè)備。
音特電子提供貼片PPTC系列有：SMD0603/SMD0805/SMD1206/SMD1210/SMD1812/SMD2018/SMD2920
以及插件PPTC系列：6V /16V/30V/60V/72V/250V/600VSeries
關(guān)注公眾號：yint音特電子隨時隨地了解電路保護。
更多解決方案：ddqczx.cn/solution/index.html
附件：音特電子PPTC選型手冊
NTC（Negative Temperature Coefficient）
MF72 功率型熱敏電阻可以抑制敏感設(shè)備的浪涌電流。
在電源端串接一個 NTC 熱敏電阻可以抑制開機浪涌電流，而當電路正常工作后， NTC 的電阻將會降到很低的水平，功耗可以忽略不計，不會影響正常工作的電流。
使用 MF72 系列的 NTC 是抑制浪涌電流保護敏感設(shè)備的高性價的方案。
音特電子 MF72NTC 熱敏電阻符合 CQC UL 和 CUL 認證。
附件：音特電子NTC選型指南
ESD （ Electrostatic Discharge devices）
靜電保護模塊可保護電子設(shè)備免受雷擊和靜電放電（ ESD）等快速瞬態(tài)電壓的破壞，為輸入/輸出接口和數(shù)字與模擬信號線提供了理想的保護方案。
音特電子（YINT）的ESD器件
按封裝分類，包括： SOD323， SOD523， SOD882， SOD923，SOT23， SOT553， SOT563， SOT353， SOT363， SOT143， SOT23-6L，SOP-8， DFN 等 ；
按工作電壓分類有：3.3V,5V,8V,12V,15V,24V,36V等；
根據(jù)信號傳輸頻率對電容的要求，可分為標準電容（>100pF），低容LC（5-100pF），超低容ULC（<5pF）等；
按極性可分為單向，雙向；
按保護線路分為單線、雙線、四線保護等。
附件：音特電子ESD選型指南.PDF
氣體放電管GDT（Gas Discharge Tubes）
GDT通過氣體電離放電的原理來消除浪涌電壓，他們具有高絕緣阻抗，低電容，和低漏電流的特點，因此對設(shè)備的正常運行影響很小。
音特電子（YINT ）可提供高性能的小封裝的插件/貼片的氣體放電管，具有很快的響應(yīng)速度，大浪涌抑制能力，從而降低設(shè)備損壞的風險。因為 GDT 的浪涌吸收能力，是雷擊浪涌防護的一個很好的選擇，特別適用于室外的電信設(shè)備。
音特電子提供氣體放電管GDT有：
貼片：SMD1206、SMD1812、2RxxxS-6×4.2、2RxxxS-8x6、3RxxxS-5x7.6、3RxxxS-6x8
插件：2RxxxL-5.5x6、2RxxxL-8×6、3RxxxL-5x7.6、3RxxxL-6x8、3RxxxL-8x10
其中：2R為兩腳GDT，3R為三腳GDT；
5.5x6、8×6等表示尺寸。
附件：音特電子GDT選型指南.pdf
半導體放電管TSS （Thyristor Surge Suppressors）
是一種PNPN型的器件，可以看作一個沒有門極的晶閘管。當一個浪涌電壓超過TSS的關(guān)斷電壓時（VDRM），TSS將電壓限制在轉(zhuǎn)折電壓以下，這時，當通過TSS的電流超過開關(guān)電流，TSS將處于短路的狀態(tài)。
當通過TSS的電流低于去維持電流IH，TSS將重置恢復到高阻抗狀態(tài)。
TSS主要應(yīng)用于電信行業(yè)和數(shù)據(jù)通信的過壓保護。
音特電子TSS產(chǎn)品系列主要有TA，S，E，L系列；
封裝類型有：SMA/DO-214AC,SMB/DO-214AA,TO-92,DO-15,DO-27等；
音特電子TSS應(yīng)用案例（部分）：
附件：音特電子半導體放電管TSS選型手冊.pdf
壓敏電阻 MOV（Metal Oxide Varistors）
壓敏電阻的本體是由氧化鋅顆粒組成的矩陣結(jié)構(gòu)，顆粒之間的晶界類似雙向PN結(jié)的電氣特性。
當?shù)碗妷簳r，這些晶界處于高阻抗狀態(tài)，當電壓高時，又會處于擊穿狀態(tài)，是一種非線性器件。
壓敏電阻MOV的主要特性有：
1、高浪涌吸收能力
2、電壓范圍18V到1800V
3、耐浪涌電流可達70KA
音特電子壓敏電阻MOV產(chǎn)品
按尺寸分為5D，7D，10D，14D，20D，25D，32D，34S以及其他定制等類型；
5D Series
5D180L,5D220K,5D270K,5D330K,5D390K,5D470K,5D560K,5D680K,5D820K,5D101K,5D121K,5D151K,5D181K,5D201K,5D221K,5D241K,5D271K,5D301K,5D331K,5D361K,5D391K,5D431K,5D471K,5D511K,5D561K,5D621K,5D681K,
7D Series
7D180L,7D220K,7D270K,7D330K,7D390K,7D470K,7D560K,7D680K,7D820K,7D101K,7D121K,7D151K,7D181K,7D201K,7D221K,7D241K,7D271K,7D301K,7D331K,7D361K,7D391K,7D431K,7D471K,7D511K,7D561K,7D621K,7D681K,7D751K,7D781K,7D821K,
10D Series
10D180K,10D220K,10D270K,10D330K,10D390K,10D470K,10D560K,10D680K,10D820K,10D101K,10D121K,10D151K,10D181K,10D201K,10D221K,10D241K,10D271K,10D301K,10D331K,10D361K,10D391K,10D431K,10D471K,10D511K,10D561K,10D621K,10D681K,10D751K,10D781K,10D821K,10D911K,10D951K,10D102K,10D112K,10D182K,
14D Series
14D180L,14D220K,14D270K,14D330K,14D390K,14D470K,14D560K,14D680K,14D820K,14D101K,14D121K,14D151K,14D181K,14D201K,14D221K,14D241K,14D271K,14D301K,14D331K,14D361K,14D391K,14D431K,14D471K,14D511K,14D561K,14D621K,14D681K,14D751K,14D781K,14D821K,14D911K,14D951K,14D102K,14D112K,14D182K,
20D Series
20D180L,20D220K,20D270K,20D330K,20D390K,20D470K,20D560K,20D680K,20D820K,20D101K,20D121K,20D151K,20D181K,20D201K,20D221K,20D241K,20D271K,20D301K,20D331K,20D361K,20D391K,20D431K,20D471K,20D511K,20D561K,20D621K,20D681K,20D751K,20D781K,20D821K,20D911K,20D951K,20D102K,20D112K,20D122K,20D152K,20D182K,
25D Series
25D201K,25D221K,25D241K,25D271K,25D301K,25D331K,25D361K,25D391K,25D431K,25D471K,25D511K,25D561K,25D621K,25D681K,25D751K,25D781K,25D821K,25D911K,25D951K,25D102K,25D122K,25D142K,25D162K,25D182K,
32D Series
32D201K,32D221K,32D241K,32D271K,32D301K,32D331K,32D361K,32D391K,32D431K,32D471K,32D511K,32D561K,32D621K,32D681K,32D751K,32D781K,32D821K,32D911K,32D951K,32D102K,32D122K,32D142K,32D162K,32D182K,
34S Series
34S201K,34S221K,34S241K,34S271K,34S301K,34S331K,34S361K,34S391K,34S431K,34S471K,34S511K,34S561K,34S621K,34S681K,34S751K,34S781K,34S821K,34S911K,34S951K,34S102K,34S122K,34S142K,34S162K,34S182K
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產(chǎn)品中心：ddqczx.cn/products/index.html
附件：音特電子壓敏電阻MOV選型手冊.PDF
肖特基二極管 SBR （Schottky Barrier Rectifiers）
肖特基二極管是利用金屬半導體接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。
典型應(yīng)用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，電池極性保護，多種電壓“ORing”和其他小尺寸系統(tǒng)。
SBR經(jīng)常用作低壓，高頻整流器或者整流橋，極性保護二極管。
音特電子肖特基二極管SBR
按電流分為：1A,2A,3A,5A等；
按封裝類型有：SMA、SMB、SMC、SOT23等。
音特肖特基二極管型號主要有：
SMA(1A)：SS12,SS13,SS14,SS15,SS16,SS18,SS19,SS110,SS115,SS120,
SMA/SMB (2A)：SS22,SS23,SS24,SS25,SS26,SS28,SS29,SS210,SS215,SS220,
SMA/SMB(3A)：SS32,SS33,SS34,SS35,SS36,SS38,SS39,SS310,SS315,SS320,
SMC(3A)：SK32,SK33,SK34,SK35,SK36,SK38,SK39,SK310,SK315,SK320,
SMC(5A)：SK52,SK53,SK54,SK55,SK56,SK58,SK59,SK510,SK515,SK520,
SOT23：BTA54,BAT54A,BAT54C,BAT54S,
附件：音特電子肖特基二極管SBR選型手冊.PDF
整流二極管是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，把交流電變成脈動直流電的半導體器件。
選用整流二極管時，主要應(yīng)考慮其最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數(shù)。
根據(jù)芯片工藝不同，反向恢復時間也不同，通常分為四大類：
1、普通整流二極管Standard Rectifier Diode ，反向恢復時間大于 500ns（納秒）；
2、快恢復整流二極管Fast Recovery Rectifier Diode ，反向恢復時間 150-500ns（納秒）；
3、高效率整流二極管High Efficiency Rectifier Diode ，反向恢復時間 50-100ns（納秒）；
4、超快速整流二極管Super Fast Recovery Rectifier Diode ，反向恢復時間 15-35ns（納秒） 。
音特電子可以提供的整流二極管
按封裝分類有：SOD-123FL、SMAF、SMA、SMBF、SMB、SMC等；
按電流Io分為：1A,2A,3A,5A等；
按反向電壓VR有：50V,100V,200V,400V,600V,1000V等類型。
普通整流二極管 GRD(General Purpose Rectifiers Diodes)
1N4001W,1N4002W,1N4003W,1N4004W,1N4005W,1N4006W,1N4007W、
S1AF,S1BF,S1DF,S1GF,S1JF,S1KF,S1MF、
S2AF,S2BF,S2DF,S2GF,S2JF,S2KF,S2MF、
S3AF,S3BF,S3DF,S3GF,S3JF,S3KF,S3MF、
S2ABF,S2BBF,S2DBF,S2GBF,S2JBF,S2KBF,S2MBF、
S3ABF,S3BBF,S3DBF,S3GBF,S3JBF,S3KBF,S3MBF、
S5ABF,S5BBF,S5DBF,S5GBF,S5JBF,S5KBF,S5MBF、
S1A,S1B,S1D,S1G,S1J,S1K,S1M、
S2A,S2B,S2D,S2G,S2J,S2K,S2M、
S2AB,S2BB,S2DB,S2GB,S2JB,S2KB,S2MB、
S3AB,S3BB,S3DB,S3GB,S3JB,S3KB,S3MB、
S3AC,S3BC,S3DC,S3GC,S3JC,S3KC,S3MC、
S5AC,S5BC,S5DC,S5GC,S5JC,S5KC,S5MC；
快恢復二極管,FR(Fast Recovery Rectifier Diodes)
FR101W,FR102W,FR103W,FR104W,FR105W,FR106W,FR107W,
RS1AF,RS1BF,RS1DF,RS1GF,RS1JF,RS1KF,RS1MF,
RS2AF,RS2BF,RS2DF,RS2GF,RS2JF,RS2KF,RS2MF,
RS3AF,RS3BF,RS3DF,RS3GF,RS3JF,RS3KF,RS3MF,
RS2ABF,RS2BBF,RS2DBF,RS2GBF,RS2JBF,RS2KBF,RS2MBF,
RS3ABF,RS3BBF,RS3DBF,RS3GBF,RS3JBF,RS3KBF,RS3MBF,
RS5ABF,RS5BBF,RS5DBF,RS5GBF,RS5JBF,RS5KBF,RS5MBF,
RS1A,RS1B,RS1D,RS1G,RS1J,RS1K,RS1M,
RS2A,RS2B,RS2D,RS2G,RS2J,RS2K,RS2M,
RS2AB,RS2BB,RS2DB,RS2GB,RS2JB,RS2KB,RS2MB,
RS3AB,RS3BB,RS3DB,RS3GB,RS3JB,RS3KB,RS3MB,
RS3AC,RS3BC,RS3DC,RS3GC,RS3JC,RS3KC,RS3MC,
RS5AC,RS5BC,RS5DC,RS5GC,RS5JC,RS5KC,RS5MC,
高效整流二極管,HERD(High Efficiency Rectifier Diodes)
US1AW,US1BW,US1DW,US1GW,US1JW,US1KW,US1MW,
US5AC,US5BC,US5DC,US5GC,US5JC,US5KC,US5MC,
US1AF,US1BF,US1DF,US1GF,US1JF,US1KF,US1MF,
US2AF,US2BF,US2DF,US2GF,US2JF,US2KF,US2MF,
US3AF,US3BF,US3DF,US3GF,US3JF,US3KF,US3MF,
US2ABF,US2BBF,US2DBF,US2GBF,US2JBF,US2KBF,US2MBF,
US3ABF,US3BBF,US3DBF,US3GBF,US3JBF,US3KBF,US3MBF,
US5ABF,US5BBF,US5DBF,US5GBF,US5JBF,US5KBF,US5MBF,
US1A,US1B,US1D,US1G,US1J,US1K,US1M,
US2A,US2B,US2D,US2G,US2J,US2K,US2M,
US2AB,US2BB,US2DB,US2GB,US2JB,US2KB,US2MB,
US3AB,US3BB,US3DB,US3GB,US3JB,US3KB,US3MB,
US3AC,US3BC,US3DC,US3GC,US3JC,US3KC,US3MC,
超快恢復二極管UFR(Ultra Fast Recovery Rectifier Diodes)
ES1AW,ES1BW,ES1DW,ES1GW,ES1JW,
ES1AF,ES1BF,ES1DF,ES1GF,ES1JF,
ES2AF,ES2BF,ES2DF,ES2GF,ES2JF,
ES3AF,ES3BF,ES3DF,ES3GF,ES3JF,
ES2ABF,ES2BBF,ES2DBF,ES2GBF,ES2JBF,
ES3ABF,ES3BBF,ES3DBF,ES3GBF,ES3JBF,
ES1A,ES1B,ES1D,ES1G,ES1J,
ES2A,ES2B,ES2D,ES2G,ES2J,
ES2AB,ES2BB,ES2DB,ES2GB,ES2JB,
ES3AB,ES3BB,ES3DB,ES3GB,ES3JB,
ES3AC,ES3BC,ES3DC,ES3GC,ES3JC,
ES5AC,ES5BC,ES5DC,ES5GC,ES5JC,
附件：音特電子整流二極管RD選型手冊.PDF
關(guān)注公眾號：音特電子，隨時了解電路保護。
上海音特電子有限公司簡介
http://www.iqiyi.com/w_19ryuofap1.html
PPTC參數(shù)介紹與選型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvc953d.html#vfrm=16-1-1-1
半導體放電管參數(shù)介紹與選型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvc9ac1.html#vfrm=16-1-1-1
ESD參數(shù)介紹與應(yīng)用選型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvdi6b1.html#vfrm=16-1-1-1
汽車級TVS參數(shù)解讀與應(yīng)用選型
http://www.iqiyi.com/w_19ryvehdel.html#vfrm=16-1-1-1
TVS參數(shù)詳細解讀與應(yīng)用
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功率 MOS 管自身擁有眾多優(yōu)點，但是MOS 管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率 MOS 管對必須為其設(shè)計合理的保護電路來提高器件的可靠性。
功率 MOS 管保護電路主要有以下幾個方面：
1）防止柵極 di/dt 過高
由于采用驅(qū)動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動功率管會引起驅(qū)動的功率管快速的開通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的 di/dt 而引起誤導通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在 MOS 驅(qū)動器的輸出與 MOS 管的柵極之間串聯(lián)一個電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆。
2）防止柵源極間過電壓
由于柵極與源極的阻抗很高，漏極與源極間的電壓突變會通過極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當高的柵源尖峰電壓，此電壓會使很薄的柵源氧化層擊穿，同時柵極很容易積累電荷也會使柵源氧化層擊穿，所以要在 MOS 管柵極并聯(lián)穩(wěn)壓管以限制柵極電壓在穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值以下，保護 MOS 管不被擊穿，MOS 管柵極并聯(lián)電阻是為了釋放柵極電荷，不讓電荷積累。
3）防護漏源極之間過電壓
雖然漏源擊穿電壓 VDS 一般都很大，但如果漏源極不加保護電路，同樣有可能因為器件開關(guān)瞬間電流的突變而產(chǎn)生漏極尖峰電壓，進而損壞 MOS 管，功率管開關(guān)速度越快，產(chǎn)生的過電壓也就越高。為了防止器件損壞，通常采用齊納二極管鉗位和 RC 緩沖電路等保護措施。
當電流過大或者發(fā)生短路時，功率 MOS 管漏極與源極之間的電流會迅速增加并超過額定值，必須在過流極限值所規(guī)定的時間內(nèi)關(guān)斷功率 MOS 管,否則器件將被燒壞，因此在主回路增加電流采樣保護電路，當電流到達一定值，通過保護電路關(guān)閉驅(qū)動電路來保護 MOS 管。
下圖是 MOS 管的保護電路，由此可以清楚的看出保護電路的功能。
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關(guān)鍵詞：MOS管FET柵源保護、MOS管。
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在電子電路中如今常用的保護器件有：穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、半導體放電管等先進的新型電子元器件。保護元器件，主要保護電子電路中的精密器件免受過壓、過流、浪涌、電磁等干擾情況下不受破壞，任何領(lǐng)域都要運用到他們，使用范圍極其廣泛。
其中TVS管是一種常見的浪涌抑制器件，它具有響應(yīng)時間快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓精準，鉗位電壓容易控制等多個優(yōu)點。其工作原理為，當高能量沖擊時，TVS能在很快的時間（10-12S）內(nèi)由高阻抗變成低阻抗，從而吸收剎那間的大電流，然后把它倆端電壓鉗位在預定的值，起到保護后級電路的作用。根據(jù)其原理，TVS可用于維護設(shè)備或電路免受靜電、電理性負載切換時產(chǎn)生的瞬變電壓、及感應(yīng)雷產(chǎn)生的過電壓。
TVS管的通流容量在限壓型浪涌保護器中是最小的，一般用于末級的保護。如用于電源的防雷電路中時，一般還需要與壓敏電阻或氣體放電管等通流容量大的器件配合使用。
TVS失效模式
1：當瞬態(tài)脈沖能量大于TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應(yīng)力損傷，特別是當瞬態(tài)能量遠遠超出TVS所能承受的數(shù)倍時會直接導致TVS過電應(yīng)力燒毀。失效模式為短路。
2：當電路中通過的電流太大，可能會造成TVS炸裂，失效模式為開路。這種情況通常為設(shè)計時考慮不周全，TVS通流量過小造成的。
3：電性能退化 當TVS經(jīng)過成千上萬次的標準脈沖沖擊后失效，失效模式為短路。這種模式因長時間工作結(jié)溫持續(xù)增大導致（器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化、散熱能力下降）過熱燒毀。
結(jié)論
在TVS實際使用中，TVS短路失效可能是各種因素綜合作用的結(jié)果。音特電子建議：首先做到TVS的正確選型與安裝，最好對TVS進行降額使用，這樣可使TVS承受的功率較小，使用可靠性大大增加。此外，為使TVS發(fā)生短路失效時對被保護電子設(shè)備的影響降到最低，通常可在TVS前串接一條與之匹配的保險絲/自恢復保險絲PPTC
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PPTC 是 英 文 單 詞 的 縮 寫 ： Polymeric Positive Temperature Coefficient ， 也 稱 PolySwitch PPTC（機聚合物在高溫、高壓、硫化反應(yīng)的條件下，摻加導電 粒子材料后，經(jīng)過特殊工藝制作而成。相比傳統(tǒng)保險絲只能保護一次，燒壞需更換，PPTC 可以重復使用，減少維護和維修成本。
A. 當設(shè)備電路出現(xiàn)過電流或短路故障時，自恢復保險絲會從低阻變成高阻，達到保護電路 目的。（過電流保護）
B. 當異常電流排除后，自恢復保險絲自動恢復無需人工干預。（自動恢復）
C. 自恢復保險絲工作中，以很小的電流維持其高阻狀態(tài)。在電源閉合或故障排除后，才會 自動恢復。避免了設(shè)備通斷惡性循環(huán)。（非循環(huán)運作）
D. 自恢復保險絲在電路正常工作狀態(tài)下為低阻值，對電路幾乎無影響；
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相信很多工程師對壓敏電阻和 TVS 如何在電路中并聯(lián)使用，還是有一定疑惑的。今天用一個實例為大家說明下。
使用音特電子的壓敏電阻為 14D820K，TVS 為 SMCJ58CA。
壓敏電阻與 TVS 二極管都屬于防雷過壓保護元件，兩者并聯(lián)是采用分級防護理念。壓敏電阻前級防護泄放大能量，次級的 TVS 二極管用于末級的精細保護，進一步釋放浪涌能量。兩級之間需要電阻電感等做隔離退偶。
如果沒有電感的時候，當浪涌進入時，電壓突然變高，壓敏電阻和 TVS 管被擊穿進行鉗位。從兩者之間的特性來看，TVS 管的響應(yīng)速度是比壓敏電阻更快的，在不加電感的時候，就會出現(xiàn)壓敏電阻還沒有響應(yīng)，TVS 管就開始響應(yīng)了，這時 TVS 管就會燒壞。因為 TVS管的通流量比較小。加上電感時，因為電感對突變的電流有一定的抑制作用，所以可以當浪涌來時，使壓敏電阻先工作，去抗來的一個高電壓，然后留到后級電路的電壓便是壓敏電阻上面的殘壓，這是 TVS 管是完全可以承受的電壓。
IEC61000-4-5 和 GB/T17626.5
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壓敏電阻的失效模式
壓敏電阻的最大特點是加在它上面的電壓低于它的閥值“壓敏電壓”時，通過它的電流很小，相當于一只關(guān)死的閥門，當電壓超過壓敏電壓時，電流激增閥門打開。利用這一功能，可以抑制電路中經(jīng)常出現(xiàn)的異常過電壓，從而實現(xiàn)對后級電路的保護。
壓敏電阻就是用于電路中的瞬態(tài)過電壓保護。雖然它的通流容量大，但是能量容量卻不大。此外，因為它的沖擊電流最大脈沖寬度遠遠小于大中功率半導體系統(tǒng)實際脈沖電流寬度，所以才會時常發(fā)生短路或燒壞及失效現(xiàn)象。那么壓敏電阻作為一種安全元件，在它完成保護功能的同時，要確保自身的安全，方才能起到保護的作用。們對其失效進行分析。
1.開路失效一般體現(xiàn)為電阻體炸裂。當經(jīng)過壓敏電阻的電流很大(8/20μs 電流波），電阻器內(nèi)部經(jīng)過電流部位產(chǎn)生很大的熱量，而來不及傳導出去，使內(nèi)部不同部位形成很大的溫差，因熱應(yīng)力而炸裂，但不會起火燃燒。
2.短路失效分為老化失效和暫態(tài)過電壓破壞。
老化失效：長期施加在壓敏電阻上的系統(tǒng)工作電壓也會引起性能下降。表現(xiàn)為伏安特性的線性化，即電阻性漏電流上升，壓敏電壓下降，直至為 0。
暫態(tài)過電壓破壞，指短時間內(nèi)出現(xiàn)較強的暫態(tài)過電壓使電阻體穿孔，導致更大的電流而高熱起火，整個過程在較短時間內(nèi)發(fā)生。以致電阻體設(shè)置的熱熔點來不及熔斷。
一般選擇標稱壓敏電壓 V1mA 和通流容量兩個參數(shù)
壓敏電壓的選擇：在電路保護中，綜合多方面因素，在交流電流中，要選用壓敏電壓為額定電壓 2.2-2.5 倍的壓敏電阻；在直流電路中，要選用壓敏電壓為直流電壓額定值 1.82 倍的壓敏電阻；
通流容量的選擇：原理上是按照最大暫態(tài)浪涌電流來選擇，但在實際應(yīng)用過程中，要適當加大所選壓敏電阻的通流容量。
固有寄生電容：壓敏電阻有一個固有電容問題，根據(jù)外形尺寸和標稱電壓的不同，其值在數(shù)百至數(shù)千 pF 之間，不適合在高頻場合下使用。同時，壓敏電阻的瞬時功率較大，但平均持續(xù)功率卻很小，因此，不能讓壓敏電阻長時間處于工作狀態(tài)。
壓敏電阻一般并聯(lián)在電路中使用，當電阻兩端的電壓發(fā)生急劇變化時，電阻短路將電流保險絲熔斷，起到保護作用。壓敏電阻在電路中，常用于電源過壓保護和穩(wěn)壓。電源防雷器的可靠性、安全性在很大程度上依賴于壓敏電阻的正確使用，以下原則可供使用參考。特別要指出的是，在電源防雷設(shè)計中還要考慮各個地方的電源質(zhì)量差別、雷擊頻度和強度的差別、被保護設(shè)備的安裝使用情況和沖擊耐受能力等的差別，不能用一個公式照搬照套。設(shè)計好的防雷保護裝置必須在現(xiàn)場使用條件下或盡可能接近真實情況的模擬條件下進行試驗驗證。
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ESD靜電放電(Electro-Static discharge)
是一種自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、電器間感應(yīng)/當材料表面上的電子由于感應(yīng)或摩擦起電而重新分布時，就會造成電荷不平衡，從而產(chǎn)生電場。當靜電場電荷累計足夠強時，電荷將在電勢差中尋求平衡，就會發(fā)生劇烈電擊，也就是靜電放電。這些常見的電擊對人類是良性的，但對于亞微米級的微電子設(shè)備，卻可能造成工業(yè)、航天航空電子設(shè)備的操損壞。
瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 電路保護二極管可保護數(shù)據(jù)接口免受 ESD、雷電和其他破壞性電壓瞬變引起的損壞或閂鎖。音特電子公司的電路保護設(shè)備具有低鉗位電壓、低電容和低泄漏電流的特點。
IEC61340-5-1:2007標準是ESD S20.20:2007
IEC61340-5-1:2007標準是對通過ESD S20.20:2007
歐洲和日本企業(yè)會更傾向于IEC61340-5-1標準的認證
如何選擇ESD保護器件？
選擇合適的電路保護設(shè)備十分重要。
1.需要針對瞬態(tài)條件妥當評估 ESD 防護，符合相關(guān)標準
2. ESD 設(shè)備的電氣參數(shù)也不得對數(shù)據(jù)接口造成有害的信號完整性問題。
3.良好的 ESD 防護通常具有極快的響應(yīng)時間、低工作和鉗位電壓、低泄漏電流以及低電容
4. 高峰值 ESD 電流，保證器件的整個生命周期間保持一致的性能
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滬公網(wǎng)安備31011702889749號
