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MOS管基礎(chǔ)知識(shí)

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor）是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，它在數(shù)字電路、模擬電路、功率電子等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。本文將從MOS管的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、參數(shù)特性等方面講解MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)。一、MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管是由金屬（Metal）、氧化物（Oxide）和半導(dǎo)體（Semiconductor）三部分組成的。其

二極管的分類方法

按頻率分類：最基本的分類方法。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開(kāi)關(guān)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護(hù)元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊電路的精密化、應(yīng)用微細(xì)化，被要求使用更高性能的保護(hù)元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。按結(jié)構(gòu)分類：主要分為現(xiàn)在主流的Planar形和耐高壓的臺(tái)地形。

JEDEC最高要求30 KV是為什么？

JEDEC最高要求30 KV是因?yàn)檫@是一個(gè)常見(jiàn)的靜電放電（ESD）電壓限制。 ESD是在兩個(gè)物體之間發(fā)生的靜電放電，可能會(huì)損壞電子設(shè)備或?qū)е聰?shù)據(jù)丟失。因此，為了確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性，JEDEC制定了30 KV的靜電放電標(biāo)準(zhǔn)。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是基于實(shí)際測(cè)試和經(jīng)驗(yàn)得出的，可以保證設(shè)備在正常操作和使用過(guò)程中不受到不可接受的靜電放電影響。 JE針對(duì)電子芯片靜電放電（ESD）制定了幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，主要有以下幾

SiC功率器件與高溫反偏

SiC功率器件的概況 SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開(kāi)關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。在車用領(lǐng)域，SiC功率器件在能量轉(zhuǎn)換效率上的顯著優(yōu)勢(shì)，能有效增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程和充電效率。另外，SiC器件的導(dǎo)通電阻更低、芯片尺寸更小、工作頻率更高，能夠使電動(dòng)汽車適應(yīng)更加復(fù)雜的行

差模濾波器和共模濾波器？

差模濾波器（Differential Mode Filter）共模濾波器（Common Mode Filter）都是用于抑制電路中的干擾信號(hào)的濾波器。差模濾波器主要用于抑制差模干擾信號(hào)。差模干擾是指在電路中分別作用于兩個(gè)信號(hào)引線的干擾信號(hào)。差模濾波器通過(guò)對(duì)差模干擾信號(hào)進(jìn)行濾波和衰減，可以有效地消除差模干擾對(duì)電路正常工作的影響。共模濾波器主要用于抑制共模干

什么是共模電感？如何選型？

共模電感是用于抑制電路中共模干擾的一種電感器件。共模干擾是指在電路中同時(shí)影響兩個(gè)信號(hào)引線（正負(fù)）的干擾信號(hào)，通常是外部電磁干擾信號(hào)的注入。選擇共模電感需要考慮以下幾個(gè)因素： 1. 頻率范圍：共模電感的頻率響應(yīng)需要覆蓋待抑制的干擾信號(hào)頻率范圍。 2. 額定電流：共模電感的額定電流應(yīng)大于實(shí)際應(yīng)用中的最大共模干擾電流。 3. 電感值：根據(jù)共模電感在線性區(qū)的電感值來(lái)選擇，一般應(yīng)滿足抑制共模干擾的

TVS管與ESD保護(hù)二極管的區(qū)別

ESD ：靜電放電（Electro-Static discharge） TVS ：瞬變電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressors） TVS管和ESD管的區(qū)別是：工作原理是一樣的，但功率和封裝是不一樣的；ESD主要是用來(lái)防靜電，防靜電就要求電容值低；TVS就做不到這一點(diǎn)，TVS的電容值比較高。瞬態(tài)二極管（Transient Voltage Suppress

等離子體形成的基本原理？

等離子體形成的基本原理涉及到物質(zhì)被加熱至足夠高溫度以使其電離，將電子從原子或分子中解離出來(lái)形成自由電子和帶正電的離子。以下是等離子體形成的主要步驟： 1. 加熱：物質(zhì)被加熱到足夠高的溫度。高溫可以通過(guò)電擊、高能光或熱能等形式提供。 2. 離子化：高溫使物質(zhì)的原子或分子獲得足夠的能量，引發(fā)電離現(xiàn)象。在這個(gè)過(guò)程中，束縛在原子或分子中的電子被解離出來(lái)，形成自由電子和帶正電的離子。 3. 電中性：在

N型SIC和P型SIC的歐姆接觸的基本原理？

N型碳化硅和P型碳化硅的歐姆接觸的基本原理是通過(guò)合適的金屬材料與碳化硅材料之間的電子轉(zhuǎn)移來(lái)建立接觸電阻盡可能小的電氣連接。對(duì)于N型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由額外的自由電子貢獻(xiàn)。當(dāng)金屬與N型碳化硅接觸時(shí)，金屬中的自由電子可以輕易地進(jìn)入N型碳化硅中，形成電子注入，使碳化硅形成具有低電阻的接觸。對(duì)于P型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由空穴貢獻(xiàn)。當(dāng)金屬與P型碳化硅接觸時(shí)，金屬中的自由電子與P型碳化硅

總計(jì) 81 1 2 345 6 7 8 9