IGBT是　"Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。
IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。

功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)

除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。
IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過這兩者的復(fù)合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時也是兼顧低飽和電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。
盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。

【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)】

	MOSFET	BIPOLAR	IGBT
基本結(jié)構(gòu)
控制	柵極電壓	基極電流	柵極電壓
容許電流	?	△	○
開關(guān)	○	?	△
導(dǎo)通電阻	?	△	○

MOSFET

是指半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)為Metal（金屬）- Oxide（半導(dǎo)體氧化物）- Semiconductor（半導(dǎo)體）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。

BIPOLAR

是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。

IGBT的應(yīng)用范圍