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N型碳化硅和P型碳化硅的歐姆接觸的基本原理是通過(guò)合適的金屬材料與碳化硅材料之間的電子轉(zhuǎn)移來(lái)建立接觸電阻盡可能小的電氣連接。

• 對(duì)于N型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由額外的自由電子貢獻(xiàn)。當(dāng)金屬與N型碳化硅接觸時(shí)，金屬中的自由電子可以輕易地進(jìn)入N型碳化硅中，形成電子注入，使碳化硅形成具有低電阻的接觸。

• 對(duì)于P型碳化硅，其導(dǎo)電性主要由空穴貢獻(xiàn)。當(dāng)金屬與P型碳化硅接觸時(shí)，金屬中的自由電子與P型碳化硅中的空穴結(jié)合，形成電子-空穴對(duì)而減弱空穴濃度，這樣就可以形成具有低電阻的接觸。
• N型和P型SIC的歐姆接觸的基本原理是通過(guò)金屬與碳化硅之間的電子轉(zhuǎn)移來(lái)建立具有低電阻的接觸。

AL（鋁）基金屬在SiC（碳化硅）中被稱(chēng)為有效受主元素，是因?yàn)樗哂幸韵绿攸c(diǎn)：

     1. 高自由缺陷濃度：在SiC材料中，鋁原子可以導(dǎo)致高自由缺陷濃度。這是因?yàn)殇X原子可以在SiC晶格中形成額外的局部缺陷，例如鋁空位和局部雜質(zhì)能級(jí)。這些缺陷和能級(jí)提供了額外的能量狀態(tài)，增加了電荷載流子的擴(kuò)散、復(fù)合等過(guò)程，從而影響了材料的電性能。

     2. 摻雜效果：鋁的摻雜可以改變SiC的電子濃度類(lèi)型，使其由N型（導(dǎo)電性由自由電子貢獻(xiàn)）轉(zhuǎn)變?yōu)镻型（導(dǎo)電性由空穴貢獻(xiàn)）。這種摻雜效果使得鋁在SiC中具有重要的應(yīng)用價(jià)值，例如制備雙極型功率器件。

      總之，鋁在SiC中是有效受主元素，這是因?yàn)樗梢砸敫咦杂扇毕轁舛?，并且改變材料的電子濃度?lèi)型，從而對(duì)SiC材料的電性能產(chǎn)生重要影響。